屏蔽就是對兩個空間區(qū)域之間進(jìn)行金屬的隔離，以控制電場、磁場和電磁波由一個區(qū)域?qū)α硪粋€區(qū)域的感應(yīng)和輻射。具體講，就是用屏蔽體將元部件、電路、組合件、電纜或整個系統(tǒng)的干擾源包圍起來，防止干擾電磁場向外擴(kuò)散；用屏蔽體將接收電路、設(shè)備或系統(tǒng)包圍起來，防止它們受到外界電磁場的影響。因?yàn)槠帘?體對來自導(dǎo)線、電纜、元部件、電路或系統(tǒng)等外部的干擾電磁波和內(nèi)部電磁波均 起著吸收能量（渦流損耗）、反射能量（電磁波在屏蔽體上的界面反射）和抵消能量（電磁感應(yīng)在屏蔽層上產(chǎn)生反向電磁場，可抵消部分干擾電磁波）的作用，所以屏蔽體具有減弱干擾的功能。

（1）當(dāng)干擾電磁場的頻率較高時，利用低電阻率的金屬材料中產(chǎn)生的渦流，形成對外來電磁波的抵消作用，從而達(dá)到屏蔽的效果。

（2）當(dāng)干擾電磁波的頻率較低時，要采用高導(dǎo)磁率的材料，從而使磁力線限 制在屏蔽體內(nèi)部，防止擴(kuò)散到屏蔽的空間去。

（3）在某些場合下，如果要求對高蓋子材料可以選用馬口鐵(便宜)，或者洋白銅 （性能好易加工），或者不銹鋼 1 （不吃錫只能做蓋子）。支架材料選用馬口鐵或者洋白銅，以好的焊接性能 。  

馬口鐵底座厚度0.2mm，蓋子0.13mm。不銹鋼蓋板0.13mm洋白銅底座厚度0.2mm，蓋子0.13mm，單件式，兩件式，材料：洋白銅，不銹鋼 ，蓋子和支架四周間隙0.05mm，z向間隙0mm，距離元器件0.4mm以上 ，展平后，沖刀區(qū)寬度留0.5mm。屏蔽蓋焊盤寬度0.7mm~1mm之間，太小不利于貼片，太大容易被外界干擾。屏蔽蓋與屏蔽蓋底部之間間隙   小要0.5mm（也要考慮支架焊盤與焊盤之間間距   小 0 3mm）。支架smt時浮錫高度0.1mm，蓋子平整度0.1mm。屏蔽罩裝配后距離上方器件或殼體 間隙   小要0.2mm 。屏蔽支架重心處要預(yù)設(shè)計(jì)直徑5mm的吸盤區(qū)域。 屏蔽支架的四周墻體每邊要有一到兩個直徑0.7~1mm的通孔，用于卡屏蔽蓋?？ǘ床荒芴?，否則很難拆卸可由供應(yīng)商作出，我們給出位置尺寸。蔽蓋四周墻的   底面，距離PCB要有0.5mm的距離，防止屏蔽支架吃錫過多頂住屏蔽蓋。 屏蔽蓋散熱孔直徑1mm 如果屏蔽蓋或者屏蔽支架有平面落差，注意落差分界處側(cè)面切通，不然沒法加工。另外平面內(nèi)的落差拐角處要打直徑3mm的孔，否則會撕裂，如果屏蔽蓋或者屏蔽支架有平面落差，注意落差角度35~40度，太大的角度加工時沖裂，如果屏蔽蓋或者屏蔽支架有平面落差，落差處支架與蓋子面配合間隙不為0，應(yīng)該為0.1mm 。屏蔽支架平面切空處距離側(cè)墻外壁要1mm以上，內(nèi)部有向下折彎的話，折彎處側(cè)墻距離外側(cè)墻0.5mm，此時平面直接貼著側(cè)墻切空 15 屏蔽支架切空區(qū)內(nèi)角R0.5mm ，屏蔽支架與PCB之間不是整面焊接，要采用2-1-2-1mm方式的長城腳焊接，2mm接 16 觸，1mm懸空方便爬錫。如此可以增加屏蔽蓋的帖附強(qiáng)度。   

與SHIEDING-BOX配做表面平面度為0.1MM以內(nèi)。折彎內(nèi)角為R0.1MM，未注圓角為R0.1MM。折彎角度為90±0.5。開模前請與工程師檢討。（公差尺寸：小于20mm的尺寸控制在+-0.05mm；大于20mm的尺寸控制在+-0.1mm；頂層平面度的控制在+- 0 1mm ），注意和線路板焊接的正確方向性。